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サムスンは1テラバイトのeUFS 2.1ストレージの量産を開始したと同社は本日発表した。この発表は、同社がテラバイトのストレージを搭載したGalaxy S10バリアントを導入するという噂に続いています。大容量フラッシュストレージは、Galaxy Note 9のハイエンドバージョンにある以前に発表された512GBフラッシュと同じ物理スペースを使用します。
このストレージは、Samsungの高度なV-NANDフラッシュメモリテクノロジーに基づいており、密度が向上し、電力要件が低く、一般に高速です。これは、通常のNANDの水平方向の層状配置と比較して、はるかに効率的な単一のNANDセルの垂直方向のスタッキングを利用します。
ユーザーは何を期待できますか？
サムスンは、eUFS 2.1ベースのストレージが1秒あたり1,000メガバイトもの高速シーケンシャル読み取り速度を達成できると主張していますが、実際の使用でその数に達することはほとんどありません。ランダムな速度がより重要であり、サムスンが発表した予備的な数値は、それらもかなり改善されていることを示しています。
特に、ランダムな書き込み速度は、連続した高フレーム撮影のようなアプリケーションを有効にするのに役立つはずです。これまでのところ、ほとんどの携帯電話はわずか数秒の高フレームレートビデオキャプチャに制限されています。サムスンは、新しいV-NANDベースの1テラバイトストレージソリューションでの読み取りと書き込みの高速化は、毎秒960フレームでの連続した長期ビデオ録画を可能にするのに十分であると言います。
韓国の平沢にあるサムスンの工場でフラッシュストレージの生産が開始されており、MWCで大容量ストレージを搭載した携帯電話の発売についての聞き取りを開始する予定です。以前の憶測と、2月20日にGalaxy S10の発売が確認されたことを考えると、その携帯電話のバージョンにストレージが含まれる可能性が高いでしょう。
電話の1テラバイトのストレージについてどう思いますか？大容量を正当化するのに十分なメディアを持ち歩くのですか、それともクラウドファーストの未来を受け入れましたか？
